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电子材料实验
作者：
 宗祥福 李川 主编
定价：
26.00元
页数：
228页
ISBN：
ISBN7-309-04025-2/T.288
字数：
302千字
开本：
小16 开
装帧：
平装
出版日期：
2004年8月 　　　　　　
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内容提要

      
       本书是材料类专业大学生的一门专业实验教材。全书共编写了24个实验，内容包括：半导体材料基本物理性能参数测试，光谱分析技术，电子显微分析技术，材料制备技术，集成电路解剖分析，ANSYS应力模拟分析和集成电路CAD基础等。
       本书可作为材料物理专业和材料化学专业及其相关专业的大学生和研究生的实验教材或参考书，也可供从事相关工作的科技人员使用。
      
      
      

作者简介

       宗祥福1956年毕业于复旦大学物理系。现任国际欧亚科学院院士，复旦大学首席教授，博士生导师，上海交通大学特聘教授，上海交通大学制造科学与技术研究所所长，曾任复旦大学技术科学与工程学院院长、材料科学系系主任、材料科学研究所所长及国家微电子材料与元器件微分析中心主任、国家教育部理科材料科学教学指导委员会副主任、亚太地区微分析协会主席、欧洲微束分析委员会国际顾问，是同济大学、香港城市大学、日本学习院大学、美国新泽西理工学院等国内外多所大学的名誉教授和访问教授。同时，也是新加坡世界科学出版公司顾问和美国福特汽车公司亨利福特汽车信息电子教授。
       宗祥福教授的研究领域是材料科学与工程中的半导体材料与器件关系、晶体中杂质与缺陷、新型电子材料和微分析技术；他的“用于大规模集成电路的硅内吸除技术”攻关项目获电子工业部科技成果二等奖（1985年），“光控固态继电器研究”项目获得国家教委科技进步二等奖（1988年），“优化过程中材料工艺、缺陷分析”攻关项目获国家教委科技进步奖（1991年）。20世纪90年代，他在复旦大学组建了国家微电子材料与元器件微分析中心，面向产业为我国的微电子产业服务取得多项成果。“微电子材料与元器件微分析技术”项目获上海市科技进步一等奖（1996年）及国家教委科技进步三等奖（1995年），“发展微分析技术的研究”攻关项目获国家计委、科委、财政部联合颁发的国家“八五”科技攻关重大科技成果奖（1996年），“集成电路的工艺材料诊断和新产品开发的研究”项目获上海市优秀产学研项目一等奖（1997年）、上海市科技进步二等奖（1998年）。
       宗祥福教授从事高等院校教学和科研工作四十多年，先后获上海市、国家教委和国家科委授予的上海市先进科技工作者称号（1979年）、国家教委全国优秀教师称号（1989年）和全国高等学校先进科技工作者称号（1990年）。他的主要著译作有：《材料质量对器件制作的影响》、《超大规模集成电路电镜分析》、《The Chinese Electronice Industry，CRC Press LLC（1999）》、《材料物理基础》和《电子材料实验》。另外，在国内外科技期刊上发表论文70余篇。
      
       李川 1965年毕业于复旦大学物理系。高级工程师。在复旦大学物理系半导体物理教研室和材料科学系材料物理教研室从事电子材料分析测试教学和科研工作。他参与的“ZLF－1型直接成像式离子质谱仪”攻关项目获全国科技大会重大科研成果奖（1978年），“X射线光电子能谱仪数据处理系统”项目获上海市科学技术进步三等奖（1987年）。1991年，“优化过程中材料、工艺缺陷分析”项目荣获机械电子工业部颁发的“七五”科技攻关项目做出突出成绩的荣誉证书，获得国家教委科学技术进步三等奖（1992年）。1998年，荣获复旦大学“海德万”教学奖。
      
      

书摘

       目 录
      
      
       实验一 四探针法测量电阻率
       实验二 扩展电阻法测量硅片微区电阻率变化及其深度分布
       实验三 范德堡- 霍耳效应实验
       实验四 硅单晶杂质补偿度的测量
       实验五 MOS电容- 电压特性测量
       实验六 用准静态技术测量硅- 二氧化硅界面态密度分布
       实验七 深能级瞬态谱法（DLTS）测定硅中深能级中心
       实验八 砷化镓的光致发光（PL）谱
       实验九 激光测定硅单晶晶轴
       实验十 椭偏法测量薄膜折射率及厚度
       实验十一 扫描电子显微镜
       实验十二 半导体集成电路的解剖分析
       实验十三 扫描电镜X射线能谱分析
       实验十四 透射电子显微术
       实验十五 傅里叶变换红外光谱法（F旧）测定硅中杂质氧的含量
       实验十六 原子吸收光谱分析
       实验十七 X射线光电子能谱分析
       实验十八 低压化学气相淀积多晶硅
       实验十九 用 SiH4－NH3淀积氮化硅
       实验二十 等离子增强化学气相淀积氧化硅
       实验二十一 金属有机化学气相淀积（MOCVD）钛酸铅
       实验二十二 多孔硅材料的制备
       实验二十三 通用有限元软件ANSYS推焊球应力分析
       实验二十四 集成电路 CAD基础
      
      
      

书评       
　  

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